著錄信息
- 專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光芯片
- 專利類型：實(shí)用新型
- 申請?zhí)枺?/em>CN201620318116.4
- 公開(公告)號：CN205645865U
- 申請日：20160415
- 公開(公告)日：20161012
- 申請人：深圳大道半導(dǎo)體有限公司
- 發(fā)明人：李剛
- 申請人地址：518000 廣東省深圳市南山區(qū)南頭街道深南10128南山數(shù)字文化產(chǎn)業(yè)基地西塔508-3
- 申請人區(qū)域代碼：CN440305
- 專利權(quán)人：深圳大道半導(dǎo)體有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L33/48,H01L33/62
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：深圳市瑞方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44314
- 代理人：林儉良;張秋紅
- 審查員：無
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
半導(dǎo)體發(fā)光芯片,絕緣層表面,裸露,絕緣層,半導(dǎo)體疊層,本實(shí)用新型,位置處,襯底,焊接,導(dǎo)電性,導(dǎo)電連接,第一表面,制造成本,側(cè)表面,電阻熱,發(fā)光層,粘著性,槽位,焊墊,側(cè)面,貫穿,延伸
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