一、手機(jī)芯片是怎么制造出來(lái)的

在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的普及下，手機(jī)已經(jīng)成為我們的標(biāo)配設(shè)備，而手機(jī)性能的好壞，主要取決于手機(jī)芯片。手機(jī)芯片從需求提出到投入應(yīng)用大體分為兩個(gè)階段：

1、手機(jī)芯片設(shè)計(jì)

手機(jī)芯片的設(shè)計(jì)流程往往分為前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)，前端設(shè)計(jì)更側(cè)重于軟件的設(shè)計(jì)，更加注重邏輯；后端設(shè)計(jì)則要更多地考慮工藝手段，設(shè)計(jì)人員需要根據(jù)芯片生產(chǎn)方的能力（例如溝道寬度）來(lái)設(shè)計(jì)相應(yīng)的芯片。

2、手機(jī)芯片制造

比起芯片的設(shè)計(jì)，芯片制造的難度更大，技術(shù)壁壘更高。一般認(rèn)為芯片的生產(chǎn)與制造可以大體分為晶圓制造、晶圓光刻、摻加雜質(zhì)和封裝測(cè)試四個(gè)步驟：

（1）晶圓制造：制造芯片的物質(zhì)基礎(chǔ)是晶元，由石英砂精煉得來(lái)，將提純后的硅制成硅晶棒即可得到制造集成電路的半導(dǎo)體材料。

（2）晶圓光刻顯影、蝕刻：電路中復(fù)雜的邏輯組合與走線并不是通過(guò)傳統(tǒng)意義上的“雕刻”或“拼接”完成的，而是通過(guò)光刻機(jī)對(duì)指定位置進(jìn)行蝕刻，這一過(guò)程極為精密和復(fù)雜。

（3）摻加雜質(zhì)：眾所周知，集成電路的基礎(chǔ)是PN結(jié)，要想形成PN結(jié)，就必須在不同的晶元里摻加不同的雜質(zhì)（本質(zhì)上而言是加入P、N型雜質(zhì)，改變其導(dǎo)電性質(zhì)）。越是復(fù)雜的集成電路，其立體結(jié)構(gòu)就越復(fù)雜，摻加雜質(zhì)的步驟也就越復(fù)雜。

（4）封裝測(cè)試：經(jīng)過(guò)上述流程，芯片制造商就完成了從版圖到芯片實(shí)體的流程，但芯片能否具體工作，其電氣性能是否達(dá)標(biāo)，還需要完成測(cè)試才能確定。因此，芯片制造廠商均需要一批后端測(cè)試人員對(duì)芯片的性能進(jìn)行測(cè)試。

二、手機(jī)芯片中國(guó)能生產(chǎn)嗎

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體芯片制造一直是比較受大家關(guān)注的一個(gè)話題，現(xiàn)在大家?guī)缀跞耸忠慌_(tái)智能手機(jī)，對(duì)于手機(jī)芯片的關(guān)注更多，那么我國(guó)有沒(méi)有生產(chǎn)手機(jī)芯片的能力呢？

和電腦芯片一樣，手機(jī)芯片實(shí)際上也是光刻機(jī)制造出來(lái)的，我國(guó)并不是沒(méi)有生產(chǎn)手機(jī)芯片的能力，只不過(guò)和主流的手機(jī)芯片相比，我國(guó)生產(chǎn)出的手機(jī)芯片在制程工藝、性能方面都有較大的差距：主流的智能手機(jī)所使用的芯片都是7nm及以下的高端半導(dǎo)體芯片，而國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片暫時(shí)還只能做到14nm。

在手機(jī)芯片制造領(lǐng)域，晶圓光刻顯影、蝕刻和摻加雜質(zhì)的步驟是我國(guó)比較欠缺的，而晶圓制造能力基本上可以實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)自用，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)技術(shù)含量不高，我國(guó)也不存在明顯的落后。